电子材料与器件面议TRL 6
SiC 漂移阶跃恢复二极管开关
西安交通大学· 发布于 2026-10-10
成果概览
- 完成单位
- 西安交通大学
- 所属领域
- 电子材料与器件
- 转化方式
- 面议
- 发布时间
- 2026-10-10
- 完成人
- 查看完成人主页
技术成熟度（TRL）TRL 6 / 9 · 技术开发阶段
TRL 1–3 · 基础研究TRL 4–6 · 技术开发TRL 7–9 · 产业化
成果简介
SiC漂移阶跃恢复二极管开关（DSRD）是一种半导体开关二极管，一般应用于超宽谱(ultra wide band，简称uwb)脉冲系统，是脉冲功率器件的核心。它具有纳秒级甚至皮秒级的开关时间，具有高效率、高稳定性、重量轻、结构简单等优点，因此在超快脉冲信号源中起到至关重要的作用，因此在高功率微波、超快激光及超快开关领域具有广泛的应用前景。
主要技术指标
【产品性能优势】关键技术包括开关绝缘处理、开关损伤抑制、开关散热优化等。可承受 10kv 以上电压、开关时间小于200ps，寿命大于10的7次方、工作频率20khz、功率40GW以上。
适用场景 / 行业标签
集成电路第三代半导体
相关技术专家
相关专利
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