超高真空离子辅助原子级界面低温键合系统

随着功率电子器件、集成电路芯片及新型光电集成芯片的发展，纳米集成与封装、异构集成成为当前的研究热点之一。本产品主要应用于功率电子器件、集成电路芯片及新型光电集成芯片的纳米集成、电子封装和异构集成，克服了传统芯片键合中的中间键合层（TIM）太厚（微米级）所导致的界面热阻过大、热应力集中和集成度降低等弊端，从而影响功率电子器件与集成电路芯片性能的发挥。本项目采用超高真空环境，避免了环境因素对键合界面的影响；采用离子辅助表面清洁与原子层沉积技术相结合，从而实现原子级界面键合，使得界面键合层从微米级降到纳米级，从而大幅降低了异构集成器件的界面热阻和热应力集中，提高了系统集成度和性能 (输出功率、更高的工作频率、可靠性)。可以实现半导体与半导体、金属与半导体、金属与非金属的键合。本设备系统主要包括超高真空系统、样品传递系统、样片离子清洁系统和原子级键合系统，同时可以集成其他表面测试系统对键合界面进行原位表征。

【产品性能优势】晶圆键合技术已广泛应用到微电子、光电子和微机械等领域。目前已经制备出可见光 LED、长波长激光器、Si基 InGaAs 雪崩光电二极管、谐振腔型探测器等众多高性能的光子器件以及MOEMS器件、OEIC、集成光隔离器、高效太阳能电池等光电子器件。上述器件同样也可以通过低温晶片键合技术来制备。优势在功率半导体、光电集成芯片的键合，比如汽车芯片、通信模块（5G\6G）、军工芯片等明显。