能源化工及新材料合作开发TRL 7

高纯度半导体CMP纳米氧化硅磨料的放大生产

中国科学院大连化学物理研究所· 发布于 2026-10-10

成果概览

完成单位
中国科学院大连化学物理研究所
所属领域
能源化工及新材料
转化方式
合作开发
发布时间
2026-10-10
技术成熟度(TRL)TRL 7 / 9 · 产业化阶段
TRL 1–3 · 基础研究TRL 4–6 · 技术开发TRL 7–9 · 产业化

成果简介

CMP(化学机械抛光)技术广泛应用于精密铸造、航空航天、半导体、电子通讯等各个领域,尤 其在半导体芯片加工工艺中有着不可替代得作用,贯穿半导体加工的前道工艺和后道工艺,是目 前芯片全局平坦化的唯一技术。CMP 工艺中的核心材料是抛光液和抛光垫,其中又以抛光液的占 比最高达到49%。抛光液主要由纳米颗粒、氧化剂、分散剂、除菌剂、pH调节剂组成,核心组成是 纳米颗粒。纳米氧化硅颗粒的使用占芯片抛光液总量的80%以上。 目前本项目组已经实现高纯度纳米氧化硅颗粒的中试制备,球形颗粒的制备尺寸可控 (20~120nm),粒度分布集中(PDI:0.01~0.2),金属杂质含量≤500 ppb,一立方米放大连续生产 50 批次以上。拥有自主知识产权,独立工艺路线开发,在对单晶硅,金属W,TEOS 等外延片抛光结 果与国际产品相当。

适用场景 / 行业标签

集成电路航空航天新材料交通石油化工化学原料和化学制品制造业铁路、船舶、航空航天和其他运输设备制造业航空运输业新材料产业

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