量子科技来源课题：光子领域关键技术研发与应用
面向InGaAs 量子点VCSEL 的混合外延研究
需求要点
技术关键词
量子科技生物技术InGaAs量子点混合外延
需求描述
面向1.3μm 波段InGaAs 量子点VCSEL 外延结构，开展量子点有源区的精细化外延调控，实现发光波长、量子点密度及面内均匀性的协同优化；提出适用于1.3μm 量子点 VCSEL 的混合外延工艺技术路线，通过不同外延技术优势互补， 解决复杂多层结构生长中的一致性与可控性问题；通过界面工程和应力管理设计，降低混合外延结构中的缺陷密度，提高厚层、 多周期外延结构的稳定性和重复性；形成可工程化复制的量子点 VCSEL 外延工艺参数体系，为高端外延材料规模化供应提供技术基础。
技术要求
量子点密度重复性≤15%，有源缺陷密度降低至 1×106cm-2，批次性波长偏差≤5nm，腔模波长1270-1310nm；腔模-增益offset10-30nm（@300K）；暗点缺陷密度<103cm-2（极低水平，保证器件寿命）；界面粗糙度达到原子级平整，RMS 粗糙度<0.3nm；申请发明专利≥3 件。