一种无催化剂生长SiC纳米线阵列的制备方法及其在生物医学材料中的应用

专利概览

申请人

西安医学院

发明人

钟磊; 刘昌奎; 梁飞; 邱禹浩; 刘益辰; 李伟泽; 王丹杨; 左艳萍; 翟莎菲; 胡开进

专利号

CN202611066470.7

公开日

2026.08.14

IPC

C04B35/83;C04B35/52;C04B35/628;C04B35/622;C04B35/64

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摘要

本发明公开了一种无催化剂生长SiC纳米线阵列的制备方法及其在生物医学材料中的应用，属于陶瓷制备技术领域。制备方法包括以下步骤：先在碳纤维预制体表面沉积热解碳层；然后将其于单晶纳米硅粉分散液中进行真空浸渍；最后将浸渍后预制体于氧气和氩气组成的混合气氛中，在静态密闭环境下进行常压热处理，制得无催化剂生长SiC纳米线阵列。本发明制备过程中不引入金属杂质，通过静态密闭环境下单晶纳米硅颗粒与少量氧气反应的方式实现高度有序SiC纳米线阵列的生长，可显著提升碳/碳复合材料的层间剪切强度，解决了现有技术在碳纤维预制体中生长SiC纳米线阵列时存在的金属催化剂残留问题。