一种聚芳醚基集流体表面修饰方法及其在贫锂电池中的应用

专利概览

申请人

电子科技大学

发明人

胡音、李秀兰、杨荣凤、陈伟、雷天宇

申请号

CN202411204706.X

专利号

CN119092716B

公开号

CN119092716A

申请日

2024-08-30

公开日

2025-09-16

摘要

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