MIM电容结构及其形成方法

专利概览

申请人

杭州星原驰半导体有限公司

发明人

金宰佑;金荣宽

申请号

CN202611097067.0

专利号

CN202611097067.0

法律状态

2026.08.18#公开;2026.09.04#实质审查的生效;2026.09.22#授权

主分类号

H10D1/68

IPC

H10D1/68

摘要

本发明提供一种MIM电容结构，衬底上形成有多个沟槽，每个沟槽的顶部拐角与底部拐角呈圆角；多层堆叠式MIM电容结构中的多层电极层和多层绝缘层依次交叠共形沉积形成且位于沟槽内并延伸至介质层上；各电极层的投影图形重合；每层电极层电连接有一个焊盘，且奇数层的焊盘和偶数层的焊盘在第二方向上位于电极层的不同侧，各焊盘的投影互不交叠。本发明通过设置高深宽比沟槽型MIM电容结构，结合高介电常数氧化层与电极的共形沉积，充分利用沟槽侧壁表面积，打造三维结构MIM电容，在面积受限的条件下增大电容有效表面积；随着沟槽深宽比提升，获得更高的电容密度。且对沟槽轮廓做拐角圆化处理，以避免强电场导致沟槽侧壁拐角处发生击穿。

转化信息

许可费

面议