技术专利盘活专利发明专利2026.08.25#公开;2026.09.11#实质审查的生效;2026.09.18#授权

基于GaNFET的高速紫外单光子探测器淬灭复位电路及方法

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所· 吉林· CN202611139916.4

专利概览

申请人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人: 黎大兵;朱虹宇;蒋科;隋延林;陈一仁;孙晓娟
申请号: CN202611139916.4
专利号: CN202611139916.4
法律状态: 2026.08.25#公开;2026.09.11#实质审查的生效;2026.09.18#授权
主分类号: G01J1/44
IPC: G01J1/44;G01J1/42;H03K17/22;H03K17/081;H03K17/687

摘要

本发明涉及单光子探测技术领域，尤其涉及一种基于GaNFET的高速紫外单光子探测器淬灭复位电路及方法。电路包括淬灭复位模块、TIA跨阻放大模块、比较器整形模块、FPGA主控、数模转换模块及电源模块；淬灭复位模块由SPAD、氮化镓场效应管、第一电容及两只分压电阻构成两级淬灭结构，TIA模块并联RC相位补偿支路抑制环路振荡，比较器输出端配置差分匹配电阻消除信号反射；FPGA分别控制氮化镓场效应管与两路数模转换器，数模转换器调控电源输出两路独立可调高压，分别为SPAD提供静态偏压、为淬灭开关提供淬灭电压。优点在于：实现纳秒级快速淬灭复位；有效减小了单光子探测的死时间，提高了计数率与探测效率。