差压/绝压/温度三参数单片集成传感器芯片及其制备方法

专利概览

申请人

沈阳仪表科学研究院

发明人

唐慧;陈信琦;李长春;祝永峰

申请号

CN200610134820.5

专利号

CN200610134820.5

法律状态

2007.06.06#公开;2007.08.01#实质审查的生效;2013.11.13#授权;2015.04.15#专利权人的姓名或者名称、地址的变更

主分类号

B81B7/02

IPC

B81B7/02;G01L1/18;G01K7/16;B81C1/00;B81C3/00;B81C5/00

摘要

一种差压/绝压/温度三参数单片集成传感器芯片，芯片结构包括敏感电阻、硅膜片和玻璃基底，其特征在于在芯片中间形成2个相对独立的差压敏感单元和绝压敏感单元：1个硅电阻为温度敏感电阻，分布在膜正面周边的支撑硅基上，与电极引线和压焊焊盘金属键合形成温度敏感单元III。本发明的关键技术在于制作过程的工艺兼容性，差压敏感单元I和绝压敏感单元II是利用硅材料的压阻效应，将被测压力信息转换成电阻变化信号输出；温度敏感单元III是利用硅材料的热阻效应，将环境温度信息转换成电阻变化信号输出。本发明方法使差压/绝压/温度三参数传感器性能可靠、成本降低，得以批量生产。

转化信息

许可费

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