一种微纳深沟槽结构测量方法及装置

专利概览

申请人

华中科技大学

发明人

刘世元;史铁林;张传维;顾华勇;沈宏伟

申请号

CN200710053292.5

专利号

CN200710053292.5

法律状态

2008.02.27#公开;2008.04.23#实质审查的生效;2010.02.03#授权

主分类号

G01B11/22

IPC

G01B11/22;G01B11/02;G01B11/06;G01R27/26;H01L21/00

摘要

本发明公开了一种微纳深沟槽结构测量方法及装置，能够同时测量微纳深沟槽结构沟槽深度、宽度和薄膜厚度。其方法是将红外光束投射到含有深沟槽结构的硅片表面，分析从深沟槽结构各分界面反射形成的干涉光得到测量反射光谱；采用等效介质理论构建该深沟槽结构等效多层薄膜堆栈光学模型的理论反射光谱，利用模拟退火算法和基于梯度的优化算法，通过理论反射光谱对该测量反射光谱进行拟合，进而提取沟槽的深度及宽度等集合特征参数，实现了高深宽比深沟槽宽度和深度等尺寸的精确测量。本发明装置，可实现动态随机存储器(DRAM)上电容器典型深沟槽结构的测量，具有非接触性，非破坏性和低成本的特点。

转化信息

许可费

面议