p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法

专利概览

申请人

浙江大学;横店集团东磁股份有限公司

发明人

严密;顾浩;马天宇;罗伟

申请号

CN200710160237.6

专利号

CN200710160237.6

法律状态

2008.05.21#公开;2008.07.16#实质审查的生效;2010.11.24#授权

主分类号

H01F10/193

IPC

H01F10/193;H01F1/40;H01F41/14;C01G9/02;C23C18/00;H01L29/22;H01L21/368;H01L43/10;H01L43/12

摘要

本发明公开了一种p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法。材料分子结构式为Zn1－x－yTMyNaxO，Tm代表过渡金属元素Co、Ni、Mn等，x＝0－10％，y＝0－20％。方法：将醋酸锌、醋酸钠和过渡金属盐作为前驱物，溶于乙二醇甲醚中，并加入乙醇胺作为稳定剂，搅拌后形成稳定的溶胶。将溶胶烘干、热处理后得到粉末样品，或者将溶胶以旋涂的方法在预先清洗的Si片或其他衬底(石英玻璃，蓝宝石，SiC等)上均匀覆涂，烘干、热处理后，得到薄膜样品。溶胶－凝胶法制备材料具有技术简单，低耗费且易于获得大面积薄膜等优点，在制得室温铁磁性ZnO基稀磁半导体的基础上，成功引入Na离子得到p型掺杂，使磁性能得到提高，并通过调节Na离子的浓度控制磁性能。

转化信息

许可费

面议