一种硅通孔互连结构的制备方法

专利概览

申请人

华中科技大学

发明人

刘胜;高鸣源;胡程志;吴一明

申请号

CN200910060749.4

专利号

CN200910060749.4

法律状态

2009.07.15#公开;2009.09.09#实质审查的生效;2010.08.04#授权

主分类号

H01L21/768

IPC

H01L21/768

摘要

本发明公开了一种硅通孔互连结构的制备方法，步骤为①将键合硅器件晶圆键合于硅晶圆基板上；②减薄硅器件晶圆，再刻蚀硅器件晶圆，形成盲孔；③在硅器件晶圆上涂敷一层图案化介电材料(如聚对二甲苯)；④刻蚀图案化介电质层，刻蚀掉盲孔底部的介电材料，保留盲孔侧壁；在基板上形成介电质孔，使介电质孔和盲孔同轴；⑤在介电质孔上沉积一层导电材料，作为导电层，形成导电孔；⑥在导电层上再沉积一层图案化介电质层；⑦移除基板，在导电层上形成焊料微凸点。本发明简化了工艺步骤，减少工艺时间并降低了费用；降低了寄生电容，提升了互连电性能，可适用于RF的三维互连结构；缓解了导电材料和硅之间的热失配，在很大程度上减少了热机械应力。

转化信息

许可费

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