一种加工硅通孔互连结构的工艺方法

专利概览

申请人

华中科技大学

发明人

刘胜;高鸣源;胡程志;吴一明

申请号

CN200910060750.7

专利号

CN200910060750.7

法律状态

2009.07.15#公开;2009.09.09#实质审查的生效;2010.10.13#授权

主分类号

H01L21/768

IPC

H01L21/768

摘要

本发明公开了一种加工硅通孔互连结构的工艺方法，步骤为：①在基板上刻蚀盲孔；②在基板上沉积一层图案化介电质层；③刻蚀图案化介电质层，刻蚀掉盲孔底部的介电材料，保留盲孔侧壁的介电材料，在基板上形成介电质孔；④在介电质孔上沉积一层导电材料，形成导电孔；⑤在导电层上再沉积一层图案化介电质层，填充导电孔；⑥刻蚀板背面，暴露出导电层，在导电层上形成焊料微凸点。图案化介电质层的材料优选聚对二甲苯。本发明简化了工艺步骤，减少工艺时间并降低了费用；使用二层图案化介电质层，降低了寄生电容，提升了互连电性能，适用于高速和RF的三维互连结构；缓解了导电材料和硅之间的热失配，在很大程度上减少了热机械应力。

转化信息

许可费

面议