用于测量辐射的半导体探测器及成像装置

专利概览

申请人

同方威视技术股份有限公司;清华大学

发明人

张岚;李元景;李玉兰;刘以农;赵自然;张丽;吴万龙;朱维彬;郑晓翠;姚楠;邓智

申请号

CN200810106279.6

专利号

CN200810106279.6

法律状态

2009.11.11#公开;2010.01.06#实质审查的生效;2011.04.13#授权

主分类号

H01L27/144

IPC

H01L27/144;H01L27/146;G01T1/24;H04N5/32

摘要

本申请公开了一种用于测量辐射的半导体探测器和成像装置，其中半导体探测器包括：半导体介质，该半导体介质可以吸收待测量的至少一个能量段的辐射；阳极电极，该阳极电极设置在半导体介质的一个表面上；阴极电极，该阴极电极设置在与所述一个表面相对的半导体介质的另一个表面上；以及信号处理电路，该信号处理电路与所述阳极电极和阴极电极连接，并将检测到的信号处理为表示辐射的能量沉积量的数值，其中，所述半导体介质接收沿着平行于电极平面的方向入射的辐射，并且，所述阳极电极和所述阴极电极沿着辐射的入射方向分成多个间隔开的子电极对，分别用于检测相应能量段的辐射的能量沉积量。

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许可费

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