一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法

专利概览

申请人

中国科学院微电子研究所

发明人

刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江

申请号

CN200810240078.5

专利号

CN200810240078.5

法律状态

2010.06.23#公开;2010.08.18#实质审查的生效;2012.03.28#授权

主分类号

H01L51/40

IPC

H01L51/40

摘要

本发明公开了一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到T形沟道的底电极胶图形；在T形沟道的底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶，形成底电极；沉积有机半导体薄膜，完成器件的制作。本发明通过改变器件沟道的形状，在沟道内产生不均匀的电场，且电场延着电极边缘是逐渐减小的。不同的电场强度以及注入方向和沟道方向的变化有利于提高载流子的注入效率，从而提高器件的整体性能。

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许可费

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