一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法

专利概览

申请人

中国科学院微电子研究所

发明人

刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江

申请号

CN200810240080.2

专利号

CN200810240080.2

法律状态

2010.06.23#公开;2010.08.18#实质审查的生效;2011.07.27#授权

主分类号

H01L51/40

IPC

H01L51/40

摘要

本发明公开了一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法，包括：清洗干净柔性塑料衬底；使用光刻和剥离工艺在塑料衬底上制备出器件的栅电极；在器件区域内通过接触式微区旋涂在栅电极上涂敷有机栅介质；烘烤有机栅介质，在有机栅介质上光刻出源漏电极的图形；再次蒸镀金属电极，该电极引线直接从源漏电极上跨过栅介质边缘连到塑料衬底上；剥离光刻胶后得到图形化了的全有机场效应晶体管器件的电极图；真空蒸镀有机半导体层，完成器件的制作。利用本发明，在工艺上是与成熟的光刻工艺相兼容，且工艺过程中回避了制作过孔的过程，简化了工艺流程从而保证了器件的性能。

转化信息

许可费

面议