一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法

专利概览

申请人

中国科学院微电子研究所

发明人

刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江

申请号

CN200810240084.0

专利号

CN200810240084.0

法律状态

2010.06.23#公开;2010.08.18#实质审查的生效;2012.03.28#授权

主分类号

H01L51/40

IPC

H01L51/40

摘要

本发明公开了一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；在底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶对底电极进行图形化；旋涂可溶性有机栅介质，填隙在源漏之间的沟道，平坦化源漏电极；干燥有机栅介质材料，并蒸镀有机半导体层。利用本发明，底电极的平坦化工艺比较操作方便，设备简单，也不需要昂贵的刻蚀机设备，普通的旋涂工艺就可以很容易实现。同时，有机栅介质材料有些无机材料作为栅介质所不具备的优点，且材料种类非常丰富，可选择的空间比较大。

转化信息

许可费

面议