一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控其应变的方法

专利概览

申请人

湘潭大学

发明人

周益春;杨锋

申请号

CN201010022077.0

专利号

CN201010022077.0

法律状态

2010.07.28#公开;2010.09.22#实质审查的生效;2013.03.20#授权

主分类号

G11C11/22

IPC

G11C11/22;H01L27/115;H01L21/8247

摘要

本发明公开了一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控应变的方法，主要应用于铁电存储器技术领域。即首先准备硅衬底或覆有绝缘层的硅衬底；然后在衬底上覆盖一层具有合理晶格常数的钛酸锶钡(BST)合金层(晶格常数范围在3.905～4.0 angstrom)；其次在合金层上外延生长铁电(FE)薄膜(AB03钙钛矿铁电、铋层状铁电或多重铁电氧化物)；最后形成BST/FE(10-30nm)/BST(10-30nm)/FE(10-30nm)…/BST多层膜结构。该结构实现了对外延铁电薄膜的应变调控作用；底层钛酸锶钡合金层生长在硅衬底或者覆有一层约5～20nm绝缘层(如HfO2)的硅衬底上；最终完成铁电薄膜存储器件。

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许可费

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