一种双MOS结构硅基电光调制器

专利概览

申请人

北京大学

发明人

周治平;毛岸;郜定山;朱梦霞

申请号

CN200910129404.X

专利号

CN200910129404.X

法律状态

2010.08.25#公开;2010.10.13#实质审查的生效;2011.08.24#授权

主分类号

G02F1/025

IPC

G02F1/025

摘要

本发明涉及一种双MOS结构硅基电光调制器，该结构由上到下分别为：顶层硅波导层、顶层绝缘栅层、中间层硅波导层、底层绝缘栅层、底层硅波导层、埋氧SiO2层、Si衬底。其中，顶层硅波导层以及底层硅波导层均为N型掺杂硅层，中间层硅波导层为P型掺杂硅层，该P型掺杂硅层中间设置有分光层，将其分为同样厚度的两层，分光层将入射光束分开成两束相同的光传播，该结构还包括设置在N型掺杂硅层的接地电极，以及设置在P型掺杂硅层的金属电极，缘栅层均为SiO2材料制成。本发明的双MOS结构硅基电光调制器调制速度快、效率高、器件尺寸小，可采用不同栅材料、不同尺寸，选择不同的掺杂浓度。

转化信息

许可费

面议