一种失调电容自动校准电路及方法

专利概览

申请人

北京大学

发明人

方然;鲁文高;陈中建;张雅聪;鞠原;刘仁直;郭娟;肖永强;吉利久

申请号

CN201010139606.5

专利号

CN201010139606.5

法律状态

2010.09.08#公开;2010.10.27#实质审查的生效;2013.02.06#授权

主分类号

G01R35/00

IPC

G01R35/00

摘要

本发明涉及一种MEMS传感器电容读出电路中失调电容自动校准电路及方法，属于微电子集成电路设计及微电子MEMS技术领域。针对现有技术中的问题，本发明提供一种失调电容自动校准电路及方法，该电路包括复位电路，用于进行电荷放大器复位重置；比较电路，用于读取并比较电荷放大器输出信号；逐次逼近电路，用于接受比较结果并生成电容补偿控制码；补偿电容阵列电路，用于根据电容补偿控制码指令对传感器电容形成补偿电容。该技术方案只需要一个校准开始信号，电路在经过N+1个载波周期后即可自动调节补偿电容大小来实现电容补偿，便捷易用，比手动调整更加准确；电路实现复杂度低，而且电路功耗也大大降低，具有很高的实际应用价值。

转化信息

许可费

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