一种基于主动学习的碳化硅晶体生长参数确定方法

专利概览

申请人

西安交通大学

发明人

翁杰弟; 刘立军; 李早阳; 罗金平; 王全志; 钟泽琪

申请号

CN202611015182.9

公开号

CN122528692A

申请日

2026-07-09

公开日

2026-08-07

主分类号

G06F30/27

IPC

G06F30/27;G06F119/08;G06F18/27;G16C60/00;G06F111/10

代理机构

北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319

代理人

陈宏

摘要

本发明提供了一种基于主动学习的碳化硅晶体生长参数确定方法，涉及晶体生长技术领域，所述方法包括：构建碳化硅晶体生长过程对应的数值模拟模型；利用拉丁超立方算法抽取碳化硅晶体生长过程的工况参数样本；利用所述数值模拟模型，获取所述工况参数样本对应的特征位置温度；基于所述工况参数样本和所述特征位置温度，通过预测不确定度迭代更新，构建主动学习高斯过程回归模型；利用所述主动学习高斯过程回归模型，确定碳化硅晶体的生长参数。本发明实施例有利于大幅降低实验和多物理场数值模拟的计算成本、时间成本，提高复杂工况下碳化硅晶体生长参数的确定过程的准确率和效率。