技术专利
汇聚高校、科研院所与企业公开的技术专利，支持共同组建产业专利池，支持专利经营，助力新质生产力发展。
一种无催化剂生长SiC纳米线阵列的制备方法及其在生物医学材料中的应用
本发明公开了一种无催化剂生长SiC纳米线阵列的制备方法及其在生物医学材料中的应用，属于陶瓷制备技术领域。制备方法包括以下步骤：先在碳纤维预制体表面沉积热解碳层；然后将其于单晶纳米硅粉分散液中进行真空浸渍；最后将浸渍后预制体于氧气和氩气组成的混合气氛中，在静态密闭环境下进行常压热处理，制得无催化剂生长SiC纳米线阵列。本发明制备过程中不引入金属杂质，通过静态密闭环境下单晶纳米硅颗粒与少量氧气反应的方式实现高度有序SiC纳米线阵列的生长，可显著提升碳/碳复合材料的层间剪切强度，解决了现有技术在碳纤维预制体中生长SiC纳米线阵列时存在的金属催化剂残留问题。
一种Al2O3自增强氧化锆医用陶瓷材料的制备方法与应用
本发明公开了一种Al2O3自增强氧化锆医用陶瓷材料的制备方法与应用，属于生物陶瓷材料制备领域。制备方法包括以下步骤：先将铝颗粒进行表面钝化，再与Y2O3‑ZrO2陶瓷粉体、分散剂和粘结剂混合制备浆料，经喷雾造粒和干压成型得到生坯，最后通过气氛烧结、吸氧反应和高温烧结，制得成品。本发明通过原位生成Al2O3的体积膨胀效应，在氧化锆基体中人为引入有益的局部压应力场，有效补偿了因提高氧化钇含量而损失的相变强化效果，实现了氧化锆全瓷材料力学性能与抗老化性能的协同提升，解决了现有技术中氧化锆全瓷材料抗老化性能不足、增加氧化钇后强度显著下降、以及传统Al2O3第二相添加强化效果不足等问题。
一种Al<base:Sub xmlns:base="http://www.sipo.gov.cn/XMLSchema/base">2</base:Sub>O<base:Sub xmlns:base="http://www.sipo.gov.cn/XMLSchema/base">3</base:Sub>自增强氧化锆医用陶瓷材料的制备方法与应用
本发明公开了一种Al2O3自增强氧化锆医用陶瓷材料的制备方法与应用，属于生物陶瓷材料制备领域。制备方法包括以下步骤：先将铝颗粒进行表面钝化，再与Y2O3‑ZrO2陶瓷粉体、分散剂和粘结剂混合制备浆料，经喷雾造粒和干压成型得到生坯，最后通过气氛烧结、吸氧反应和高温烧结，制得成品。本发明通过原位生成Al2O3的体积膨胀效应，在氧化锆基体中人为引入有益的局部压应力场，有效补偿了因提高氧化钇含量而损失的相变强化效果，实现了氧化锆全瓷材料力学性能与抗老化性能的协同提升，解决了现有技术中氧化锆全瓷材料抗老化性能不足、增加氧化钇后强度显著下降、以及传统Al2O3第二相添加强化效果不足等问题。
一种无催化剂生长SiC纳米线阵列的制备方法及其在生物医学材料中的应用
本发明公开了一种无催化剂生长SiC纳米线阵列的制备方法及其在生物医学材料中的应用，属于陶瓷制备技术领域。制备方法包括以下步骤：先在碳纤维预制体表面沉积热解碳层；然后将其于单晶纳米硅粉分散液中进行真空浸渍；最后将浸渍后预制体于氧气和氩气组成的混合气氛中，在静态密闭环境下进行常压热处理，制得无催化剂生长SiC纳米线阵列。本发明制备过程中不引入金属杂质，通过静态密闭环境下单晶纳米硅颗粒与少量氧气反应的方式实现高度有序SiC纳米线阵列的生长，可显著提升碳/碳复合材料的层间剪切强度，解决了现有技术在碳纤维预制体中生长SiC纳米线阵列时存在的金属催化剂残留问题。